PRAM in arrivo da Samsung

 PRAM, dispositivo con tecnologia a 60nm, รจ ora in produzione.

Il chip di Samsung garantisce la cancellazione di 64 KW in 80 ms ed รจ almeno 10 volte piรน veloce delle memorie Flash in tecnologia NOR.

Samsung inizia la produzione di memorie 40nm DDR3 da 2Gb

 Samsung inizia a produrre memorie, con tecnologia 40nm, DDR3 da 2GB.

รˆ questo che emerge dalle notizie diffuse da Samsung Electronics. La casa costruttrice afferma che prevede di investire una cifra pari a 790 milioni di dollari per aggiornare le sue DRAM nella seconda parte di quest’anno, oltre ad aggiornare le tecniche di produzione.

Extreme SSD, Corsair propone il suo nuovo Solid State Disk

 Corsair propone una nuova soluzione per il target delle memorie SSD. Infatti, Corsair con il suo Extreme SSD, e con una velocitร  di accesso a 170 MB/s, intende assumere una posizione rilevante nel mercato delle memorie identificate come Solid State Disk.Il nuovo Extreme SSD di Corsair utilizza un controller Indilinx Barefoot che permette, secondo le specifiche fornite, di raggiungere una velocitร  che, in lettura, il costruttore dichiara pari a 240 MB/s, mentre in scrittura sembra che il dispositivo non ha problemi a supportare una prestazione di 170 MB/s.

moviNAND, soluzione Samsung per le memorie

 moviNAND รจ la soluzioneย Samsung che vuole offrire un nuovo prodotto alle continue richieste di memorie. Il mercato, infatti, ha sempre nuove esigenze tecnologiche insieme alle richieste maggiori di memorie.

moviNAND รจ un acronimo che sta per High-density MLC NAND Flash and MMC Controller. Samsung in questo modo propone un prodotto facile da utilizzareย (il dispositivo permette di scrivere/leggere dalla memoria attraverso il protocollo standard MMC 4.2) e ad un prezzo in linea con l’esigenza di mercato.