Hynix intende suggerire le soluzioni RAM da 4 Gigabit su tecnologia DDR3 basati su processo costruttivo da 30nm.
Hynix Semiconductor
Da Hynix, inizio produzione di chip da 64 Gb
Hynix ha deciso di iniziare la produzione di massa dei suoi chip da 64 Gb in tecnologia Nand Flash utilizzando la tecnologia costruttiva da 20nm.
Hynix e le memorie da 2Gb in tecnologia DDR2
Hynix è in procinto di rilasciare memorie da 2 GB DRAM su DDR2 con processo costruttivo da 40nm.
Hynix propone 2 Gb GDDR5 su 40nm
Hynix Semiconductor ha deciso di proporre la prima memoria GDDR5 su 2Gb con processo costruttivo dei 40nm.
DDR3 da 2 Gb con 40nm, ecco da Hynix la sua novità
Hynix Semiconductor ha annunciato la disponibilità della sua nuova linea DDR3 con processo costruttivo a 40nm.
Samsung e Hynix guidano il mercato delle memorie DRAM
Secondo i dati diffusi da DRAMeXchange il segmento delle memorie DRAM ha avuto un incremento del 40% nel terzo trimestre del 2009 attestando il fatturato globale attorno ai 5,719 miliardi di dollari US.
Hynix con DDR3 a 1 Gb su 54nm
Hynix Semiconductor ha annunciato la sua seconda generazione di memorie DDR3 a 1 Gb utilizzando il processo costruttivo a 54nm. Il nuovo chip secondo alle dichiarazioni di Hynix Semiconductor sarà disponibile in due configurazioni: x4 e x8, mentre il lancio del prodotto è previsto per questo mese.