Hynix intende suggerire le soluzioni RAM da 4 Gigabit su tecnologia DDR3 basati su processo costruttivo da 30nm.
Hynix intende suggerire le soluzioni RAM da 4 Gigabit su tecnologia DDR3 basati su processo costruttivo da 30nm.
Hynix ha deciso di iniziare la produzione di massa dei suoi chip da 64 Gb in tecnologia Nand Flash utilizzando la tecnologia costruttiva da 20nm.
Hynix รจ in procinto di rilasciare memorie da 2 GB DRAM su DDR2 con processo costruttivo da 40nm.
Hynix Semiconductor ha deciso di proporre la prima memoria GDDR5 su 2Gb con processo costruttivo dei 40nm.
Hynix Semiconductor ha annunciato la disponibilitร della sua nuova linea DDR3 con processo costruttivo a 40nm.
Secondo i dati diffusi da DRAMeXchange il segmento delle memorie DRAM ha avuto un incremento del 40% nel terzo trimestre del 2009 attestando il fatturato globale attorno ai 5,719 miliardi di dollari US.
Hynix Semiconductor ha annunciato la sua seconda generazione di memorie DDR3 a 1 Gb utilizzando il processo costruttivo a 54nm. Il nuovo chip secondo alleย dichiarazioni di Hynix Semiconductor sarร disponibile in due configurazioni: x4 e x8, mentre il lancio del prodotto รจ previsto per questo mese.