Samsung ha annunciato la produzione della sua nuova linea di memorie DRAM basate su processo da 30nm con una densità di due gigabit.
Grazie a questa nuova possibilità Samsung è in grado di proporre memorie DDR3 da 30nm in classe 2Gb ad un consumo del 30% in meno delle tradizionali 50nm.
Le memorie da 4 GB su moduli da 30nm forniranno un consumo notevolmente inferiore rispetto alle tecnologie attuali.
Grazie a questa possibilità i notebook garantiranno un consumo inferiore.
In linea di massima Samsung ritiene di iniziare la produzione per la seconda metà dell’anno corrente consentendo l’uso delle nuove memorie nei nuovi prodotti per la fine dell’anno.