Intel e Micron stanno sviluppando le prime memorie flash di tipo NAND su processo costruttivo da 20nm con kit da 8 GB di capacità.
Le due società hanno, infattioi, annunciato lo sviluppo di questi kit di memoria con nuovo processo costruttivo; in effetti, le nueve memorie da 20nm da 8 GB misurano solo 118mm2 e permettono di ottenere una riduzione tra il 30 e il 40 per cento dell”ingombro se paragonate con le memorie disponibili oggi da 25nm sempre su tecnologia NAND da 8 GB.
Le nuove memorie sono particolarmente indicate per i dispositivi mobile quali smartphone e tablet.
Le nuove memorie garantiscono maggiore efficienza, in modo particolare, sulle batterie incidendo in modo diretto sulla loro durata.
Secondo i piani le nuove memorie dovrebbero arrivare per la seconda metà del 2011 e dovrebbero riguardare tagli anche da 16 GB.