Hynix Semiconductor ha annunciato la sua seconda generazione di memorie DDR3 a 1 Gb utilizzando il processo costruttivo a 54nm. Il nuovo chip secondo alle dichiarazioni di Hynix Semiconductor sarà disponibile in due configurazioni: x4 e x8, mentre il lancio del prodotto è previsto per questo mese.
Non ci dovrebbe essere nessuna differenza, in termini di tensione di alimentazione, rispetto al modello precedente; infatti, infatti, anche la seconda generazione dovrebbe essere in grado di lavorare con una tensione di 1.5v.
Al contempo, però, con questo nuovo modello Hynix Semiconductor è in grado di garantire prestazioni migliori, in termini di dissipazione, del 30%.