PRAM, dispositivo con tecnologia a 60nm, è ora in produzione.
Il chip di Samsung garantisce la cancellazione di 64 KW in 80 ms ed è almeno 10 volte più veloce delle memorie Flash in tecnologia NOR.
L’acronimo di PRAM sta per Phase Change Random Access Memory.
Il dispositivo ha una capacità di 512 Mb e rappresenta una decisa evoluzione delle tecnologie basate sulle memorie NOR/NAND, le prestazioni, poi, sono interessanti.
Secondo le dichiarazioni del costruttore, la velocità di PRAM sono incrementati di un fattore di 30 rispetto alle tradizionali memorie flash.