Tre società per due ottime soluzioni. Micron intende suggerire le sue nuove memorie che, stando alle premesse della stessa casa cosruttrice, saranno in grado di garantire maggiotri prestazioni, mentre LSI e Seagate hanno siglato un accordo di cooperazione tecnologica.
LSI e Seagate hanno deciso di siglare un accordo per sviluppare un nuovo drive hard disk utilizzando la tecnologia conosciuta come read channel.
Grazie alle capacità tecnologiche delle due società, nel prossimo futuro presenteranno il primo hard disk con low-density parity check, o LDPC, read channel in un processo costruttivo da 65nm utilizzando una tecnologia SoC, System-on-Chip, con la massima integrazione.
Secondo alcune indicazioni nel SoC si riuscirà ad includere LSI TrueStore RC8000 e PHY8000 con Seagate LDPC read channel, il controller dell’hard disk e non mancherà sicuramente il firmware che si occuperà della gestione dei driver hardware.
Il tutto gestito da una piattaforma ARM Cortex-R4 definita da LSI.
Lo sviluppo congiunto avrà il fine di combinare le capacità di Seagate con LDPC e LSI con le sue architetture integrate. Il TrueStore PHY di Seagate sarà in grado di gestire interfacce integrate compatibili con 6 Gb/s SAS, 6 Gb/s SATA e 4,25 Gb/s Fibre Channel protocol.
La disponibilità? Al momento il prodotto da 65nm con LDPC read channel integrato risulta subito disponibile nei nuovi hard disk Seagate.
Micron ha introdotto le sue ultime memorie definite di terza generazione in grado di ridurre la latenza DRAM (RLDRAM 3 ) e che permette di ottenere una maggiore efficienza dei tempi di trasferimento.
Stando alle indicazioni di Micron le nuove memorie permettono di incrementare la densità, 576Mb-1Gb, e una maggiore velocità, si stima 2133 Mb/s.
Micron è una società che non ha certo bisogno di presentazioni perchè i suoi prodotti sono apprezzati in tutto il mondo.
Micron pensa di proporre le sue nuove memorie, o almeno i primi campioni, per la prima metà del 2011.
Il prezzo? Micron non ha rilasciato nessuna indicazioni sul prezzo che sarà proposto.